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日宣布其 X-DRAM 成功完成概念验证芯片制造,证明这一 3D 堆叠内存可利用现有 3D NAND 闪存生产线制造。NEO Semiconductor 的 X-DRAM 验证芯片实现了 10¹⁴ 循环耐久,读写延迟<10ns,85℃ 下数据保持时间>1s(注:这一数据是 JEDEC 为标准 DRAM 给出的 64ms 的 15 倍)。NEO Semiconductor 同时宣布得到了宏碁创始人
; 近日,江苏南京检察机关通报了一起强迫交易案。明明说的是50块钱一棵,后来却变成了50块钱一克。 犯罪团伙一边以劣充好,一边用刻意模糊的语言诱骗老人购买,如果不从,就言语恐吓,甚至暴力威逼,强迫老人掏钱买单。
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发布时间:01:54:01
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